Вход / Регистрация

MBS10

Taiwan Semiconductor
MBS2 – MBS10 Taiwan Semiconductor 0.8A, 200V - 1000V Standard Bridge Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Ideal for automated placement Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique High surge current capability UL Recognized File # E-326854 Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according t...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= MB10S[0.8A] (YOUTAI)
 
—
 
 —
P= MB10S (YJ)
 

MB10S (ONS-FAIR) 		TO269AA в ленте 2500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 1000V V(RRM), Silicon
F~ MBS10 RCG (TSC)
 
MBS в ленте 3000 шт
 
 —
F~ B10S (DC)
 
DB1MS в ленте 3000 шт —

Файлы 1

показать свернуть
MBS2 – MBS10 Taiwan Semiconductor 0.8A, 200V - 1000V Standard Bridge Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Ideal for automated placement Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique High surge current capability UL Recognized File # E-326854 Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 0.8 A VRRM 200 - 1000 V IFSM 35 A TJ MAX 150 °C Package TO-269AA (MBS) Configuration Quad APPLICATIONS ● Switching mode power supply (SMPS) ● Adapters ● Lighting application MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: TO-269AA (MBS) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.120g (approximately) MBS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device MBS2 MBS4 MBS6 MBS8 MBS10 UNIT MBS2 MBS4 MBS6 MBS8 MBS10 Repetitive peak reverse voltage VRRM 200 400 600 800 1000 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 140 280 420 560 700 V Forward current On glass-epoxy On aluminum substrate Surge peak forward current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load 0.5 A 0.8 A IFSM 35 A IF Rating for fusing (t<8.3ms) It 2 5.08 As Junction temperature TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 2 Version: P2103 PDF
Документация на MBS10 

Дата модификации: 31.03.2021

Размер: 434.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)