MB10S

Yangjie
RoHS MB1S THRU MB10S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition,file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for power supply, lighting ballast, battery charger, home appliances, office equipment, and telec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO269AA
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 1000V V(RRM), Silicon
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= MB10S[0.8A] (YOUTAI)
 
—
 
 —
F~ MBS10 RCG (TSC)
 
MBS в ленте 3000 шт
 
 —
F~ MB10S (HOTTECH)
 

MB10S (ONS-FAIR) 		MBS 3000 шт
 
 — — — — — —
F~ MBS10 (TSC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
F~ B10S (DC)
 
DB1MS в ленте 3000 шт —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MB1S THRU MB10S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition,file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for power supply, lighting ballast, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: MBS Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code Repetitive peak reverse voltage VRRM V IO A On alumina substrate Average rectified output current @60Hz sine wave, On glass-epoxi R-load, Ta=40℃ substrate Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ MB1S MB2S MB4S MB6S MB8S MB10S MB1S MB2S MB4S MB6S MB8S MB10S 100 200 400 600 800 1000 0.8 0.5 IFSM A 30 It 2 A2S 3.7 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃,rating of per diode ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MB1S MB2S MB4S MB6S VF V IFM=0.4A 1.00 IRRM μA VRM=VRRM 5 MB8S MB10S 1/4 S-S070 Rev. 2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MB10S 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 16.07.2018

Размер: 661.2 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)