Вход / Регистрация

TSM3N80CI C0G

Taiwan Semiconductor
TSM3N80 Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 800V, 3A, 4.2Ω FEATURES ● ● ● ● KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low RDS(ON) 3.3Ω (Typ.) Low gate charge typical @ 19nC (Typ.) Low Crss typical @ 10.2pF (Typ.) Improved dv/dt capability PARAMETER VALUE UNIT VDS 800 V RDS(on) (max) 4.2 Ω Qg 19 nC APPLICATION ● Power Supply ● Lighting TO-220 ITO-220 TO-251(IPAK) TO-252(DPAK) Not...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
TSM3N80 Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 800V, 3A, 4.2Ω FEATURES ● ● ● ● KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low RDS(ON) 3.3Ω (Typ.) Low gate charge typical @ 19nC (Typ.) Low Crss typical @ 10.2pF (Typ.) Improved dv/dt capability PARAMETER VALUE UNIT VDS 800 V RDS(on) (max) 4.2 Ω Qg 19 nC APPLICATION ● Power Supply ● Lighting TO-220 ITO-220 TO-251(IPAK) TO-252(DPAK) Notes: Moisture sensitivity level: level 3. Per J-STD-020 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) LIMIT PARAMETER SYMBOL UNIT IPAK/DPAK ITO-220 TO-220 Drain-Source Voltage VDS 800 V Gate-Source Voltage VGS ±30 V Continuous Drain Current Pulsed Drain Current TC = 25°C (Note 1) 3 ID TC = 100°C (Note 2) A 1.83 IDM 12 A Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3) EAS 48 mJ Single Pulsed Avalanche Current (Note 3) IAS 3 A (Note 3) EAR 9.4 mJ Repetitive Avalanche Energy (Note 4) dV/dt 4.5 V/ns Total Power Dissipation @ TC = 25°C PDTOT Repetitive Avalanche Energy Operating Junction and Storage Temperature Range 94 TJ, TSTG 32 94 - 55 to +150 W °C THERMAL PERFORMANCE LIMIT PARAMETER SYMBOL UNIT IPAK/DPAK ITO-220 TO-220 3.9 1.33 Junction to Case Thermal Resistance RӨJc 1.33 Junction to Ambient Thermal Resistance RӨJA 110 62.5 °C/W °C/W Notes: RӨJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistances. The case thermal reference is defined at the solder mounting surface of the drain pins. RӨJA is guaranteed by design while RӨCA is determined by the user’s board design. RӨJA shown below for single device operation on FR-4 PCB in still air Document Number: DS_P0000084 1 Version: E15 PDF
Документация на TSM3N80CZ C0G 

TSM3N80_E15 Keywords:

Дата модификации: 30.07.2015

Размер: 524.4 Кб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7000 (DC)