12P10L-TM3-T

UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12P10 Power MOSFET -9.4A, -100V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 TO-220 SOT-223  DESCRIPTION The 12P10 uses advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable to be used in low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-251-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12P10 Power MOSFET -9.4A, -100V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 TO-220 SOT-223  DESCRIPTION The 12P10 uses advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable to be used in low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.  FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.29 Ω @ VGS=-10V, ID=-4.7A * Low capacitance * Low gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified  1 1 TO-251 TO-251S 1 1 TO-251S2 TO-251S4 1 1 TO-252 TO-252D SYMBOL 2.Drain 1 TO-263 SOP-8 1.Gate 3.Source www.unisonic.com.tw Copyright © 2020 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 6 QW-R502-262.O PDF
Документация на 12P10L-TM3-T 

Creator: Microsoft® Office Word 2007

Дата модификации: 26.10.2021

Размер: 393.1 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)