WM01P60M

WAYON
WM01P60M P-Channel Enhancement MOSFET Features    Way-on Small Signal MOSFETs VDS= -12 V, ID = -6A RDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V Trench LV MOSFET Technology Mechanical Characteristics  SOT-23 Package  Marking : Making Code  RoHS Compliant SOT-23 Schematic & PIN Configuration Absolute Maximum Rating (TA=25°C unless otherwise noted) Paramet...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03N58M

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
WM01P60M P-Channel Enhancement MOSFET Features    Way-on Small Signal MOSFETs VDS= -12 V, ID = -6A RDS(on) < 28mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 40mΩ @ VGS = -2.5V Trench LV MOSFET Technology Mechanical Characteristics  SOT-23 Package  Marking : Making Code  RoHS Compliant SOT-23 Schematic & PIN Configuration Absolute Maximum Rating (TA=25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -12 V Gate-Source Voltage VGS ±8 V ID -6 A IDM -20 A PD 1.8 W TJ ,TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 69 °C/W Continuous Drain Current TA = 25°C Pulsed Drain Current1 Power Dissipation TA = 25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction to Ambient2 Rev.E,2022 Doc:W08030120 1/5 PDF
Документация на WM01P60M 

Features Keywords:

Дата модификации: 21.04.2022

Размер: 538.7 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)