WM02DN08D

WAYON
Document: W0803108, Rev: B WM02DN08D D Dual N-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= 20 V, ID = 0.75 A RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5 V RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5 V ⚫ Trench MOSFET Technology ⚫ Low Threshold Voltage ⚫ Pb Free Device ⚫ ESD Protected SOT-363 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-363 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D2 D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Document: W0803108, Rev: B WM02DN08D D Dual N-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= 20 V, ID = 0.75 A RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5 V RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5 V ⚫ Trench MOSFET Technology ⚫ Low Threshold Voltage ⚫ Pb Free Device ⚫ ESD Protected SOT-363 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-363 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D2 D1 D1 G2 S2 S1 G1 D2 G2 G1 S1 S2 Device symbol SOT-363(Top view) Absolute Maximum Rating Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Continuous Drain Current 1 ID 0.75 A Power Dissipation 1 PD 150 mW Junction Temperature TJ 150 °C Storage Temperature TSTG -55 to +150 °C Thermal Resistance from Junction to Ambient 1 RθJA 833 °C/W ©2019 WAYON Corporation www.way-on.com 1 / 4 PDF
Документация на WM02DN08D 

Features

Дата модификации: 28.04.2022

Размер: 372.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)