WM02DN08D
Document: W0803108, Rev: B
WM02DN08D
D
Dual N-Channel MOSFET
Features
⚫
VDS= 20 V, ID = 0.75 A
RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5 V
RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5 V
⚫
Trench MOSFET Technology
⚫
Low Threshold Voltage
⚫
Pb Free Device
⚫
ESD Protected
SOT-363
Mechanical Characteristics
⚫
SOT-363 Package
⚫
Marking : Making Code
⚫
RoHS Compliant
Schematic & PIN Configuration
D2
D...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-6 SOT363
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-6 SOT363 | |
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.