WM02DN560Q

Document: W0803164, Rev: F WM02DN560Q Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V(BR)DSS(V) WM02DN560Q uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration 4.2 @VGS=4.5V 20 4.3 @VGS=3.9V 56 4.7 @VGS=3.1V 5.0 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.