WM02DP06D

Document: W0803111, Rev: B WM02DP06D D Dual P-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= -20 V, ID = -0.66 A RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5 V ⚫ Enables High Density PCB Manufacturing ⚫ Low Voltage Drive Makes This Device Ideal for Portable Equipment ⚫ Advanced Trench Process Technology ⚫ ESD Protected SOT-363 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-363 Package ⚫ ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.