WM02DP06T

Document: W0803112, Rev: B WM02DP06T D Dual P-Channel MOSFET Features  VDS= -20 V, ID = -0.66 A RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5 V  Enables High Density PCB Manufacturing  Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment  Advanced Trench Process Technology  ESD Protected Mechanical Characteristics  SOT-563 Package  Marking :...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.