WM02DP06T
Document: W0803112, Rev: B
WM02DP06T
D
Dual P-Channel MOSFET
Features
VDS= -20 V, ID = -0.66 A
RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V
RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5 V
Enables High Density PCB Manufacturing
Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable
Equipment
Advanced Trench Process Technology
ESD Protected
Mechanical Characteristics
SOT-563 Package
Marking :...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-563
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-563 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.