WM02N08L

WAYON
Document: W0803021, Rev: C WM02N08L L N-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= 20V, ID = 0.75A RDS(on) < 0.38mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 0.45mΩ @ VGS = 2.5V ⚫ Trench MOSFET Technology ⚫ Low Threshold Voltage ⚫ Pb Free Device ⚫ ESD Protected SOT-523 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-523 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Document: W0803021, Rev: C WM02N08L L N-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= 20V, ID = 0.75A RDS(on) < 0.38mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 0.45mΩ @ VGS = 2.5V ⚫ Trench MOSFET Technology ⚫ Low Threshold Voltage ⚫ Pb Free Device ⚫ ESD Protected SOT-523 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-523 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S Device symbol SOT-523(Top View) Absolute Maximum Rating Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V Continuous Drain Current ID 0.75 A Pulsed Drain Current1 IDM 3 A Power Dissipation PD 200 mW Junction Temperature TJ 150 °C Storage Temperature TSTG -55 to +150 °C Thermal Resistance from Junction to Ambient2 RθJA 625 °C/W ©2019 WAYON Corporation www.way-on.com 1 / 4 PDF
Документация на WM02N08L 

Features

Дата модификации: 15.09.2022

Размер: 2.37 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)