WM02P06L

WAYON
Document: W0803106, Rev: B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ VDS= -20 V, ID = -0.66 A RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5 V Enables High Density PCB Manufacturing Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment Advanced Trench Process Technology ESD Protected SOT-523 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-523 Package ⚫ Marking : Mak...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM02P06L
Внешний вид WM02P06L
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Document: W0803106, Rev: B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ VDS= -20 V, ID = -0.66 A RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5 V Enables High Density PCB Manufacturing Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment Advanced Trench Process Technology ESD Protected SOT-523 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-523 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S Device symbol SOT-523(Top View) Absolute Maximum Rating Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Continuous Drain Current ID -0.66 A Pulsed Drain Current IDM -1.2 A Power Dissipation PD 150 mW Junction Temperature TJ 150 °C Storage Temperature TSTG -55 to +150 °C Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 833 °C/W ©2019 WAYON Corporation www.way-on.com 1 / 4 PDF
Документация на WM02P06L 

Features

Дата модификации: 27.04.2022

Размер: 2.37 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)