WM02P60M2

WAYON
Document:W0803226, Rev: B WM02P60M2 2 P-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= -20 V, ID = -6A RDS(on) < 23mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 30mΩ @ VGS = -2.5V ⚫ Super High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON) ⚫ Exceptional On-Resistance and Maximum DC Current Capability Mechanical Characteristics ⚫ ⚫ ⚫ SOT-23-3L SOT-23-3L Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM02P60M2
Внешний вид WM02P60M2
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT233L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Document:W0803226, Rev: B WM02P60M2 2 P-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= -20 V, ID = -6A RDS(on) < 23mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 30mΩ @ VGS = -2.5V ⚫ Super High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON) ⚫ Exceptional On-Resistance and Maximum DC Current Capability Mechanical Characteristics ⚫ ⚫ ⚫ SOT-23-3L SOT-23-3L Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S S SOT-23-3L(Top View) Device symbol Absolute Maximum Rating Rating Symbol Value Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±10 Unit V TA=25°C Continuous Drain Current -6 ID TA=70°C Power Dissipation TA=25°C Pulsed Drain Current2 (t=300μS) Thermal Resistance from Junction to Ambient1 Operating Junction Temperature Storage Temperature ©2019 WAYON Corporation A -3.1 PD 0.35 W IDM -18 A RθJA 357 °C/W TJ 150 °C TSTG –55 to 150 °C www.way-on.com 1 / 4 PDF
Документация на WM02P60M2 

Features

Дата модификации: 08.06.2022

Размер: 355.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)