WM03N01G
Document: W0803083, Rev: D
WM03N01G
1
N-Channel Trench MOSFET
Features
⚫
⚫
⚫
⚫
⚫
⚫
VDS= 30V, ID = 0.1A
RDS(on) < 3Ω @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 4Ω @ VGS = 2.5V
Very Fast Switching
Trench MOSFET Technology
Low Threshold Voltage
Pb Free Device
ESD Protected
SOT-323
Mechanical Characteristics
⚫
SOT-323 Package
⚫
Marking : Making Code
⚫
RoHS Compliant
Schematic & PIN Configuration
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-323-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | 2SK3019KEJ (YJ) | SOT-523 | в ленте 3000 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.