WM06N03F

Document: W0803230, Rev: C WM06N03F F N-Channel Trench MOSFET Features ⚫ G VDS= 60V, ID = 0.34A D RDS(on) < 2.1Ω @ VGS = 10V S RDS(on) < 2.8Ω @ VGS = 4.5V ⚫ Very Fast Switching ⚫ Trench MOSFET Technology ⚫ Low Threshold Voltage ⚫ Pb Free Device ⚫ ESD Protected DFN1006-3L Mechanical Characteristics ⚫ DFN1006-3L Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schema...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN10063
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSS138LT1G (JSMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.