BSS138KJ

RoHS BSS138KJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 0.6A ● RDS(ON)( at VGS=10V) <1.5Ω ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <1.8Ω ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) <3.7Ω ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) <8.5Ω ● Gate-Source ESD Rating Up to 2KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitan...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRLML2060TRPBF (KLS)
 

IRLML2060TRPBF (INFIN)
в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на BSS138KJ 

Дата модификации: 29.03.2023

Размер: 694.5 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.