WMB014N06HG4

WAYON
WMB014N06HG4 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB014N06HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G G ss s PDFN5060-8L Features ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
WMB014N06HG4 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB014N06HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G G ss s PDFN5060-8L Features  D VDS = 60V, ID = 278A RDS(on) < 1.4mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  Low RDS(on)  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed RoHS D compliant G Applications S  Power Management Switches   Battery Management System Motor Driving Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C, unless otherwise noted） Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC=25°C Continuous Drain Current TC=100°C ID 278 A 176 IDM 1112 A EAS 500 mJ PD 183.8 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 50 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 0.68 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.2, 2023 Doc:W0803902 1/7 PDF
Документация на WMB014N06HG4 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 20.07.2023

Размер: 639.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)