WMB100P03TS
WMB100P03TS
30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB100P03TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
D
D
D
D
D
maintain superior switching performance.
s
ss
Features
D
DD
G
G
ss
PDFN5060-8L
VDS= -30V, ID = -100A
RDS(on) < 3.9mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 6mΩ @ VGS = -4.5V
Green De...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 10 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB100P03TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 28.09.2023
Размер: 1.07 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.