WMB120P06TS

WMB120P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB120P06TS uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and s ss yet maintain superior switching performance. Features  D DD G ss G PDFN5060-8L VDS= -60V, ID = -120A RDS(on) < 7mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 9mΩ @ VGS = -4.5V  High Spee...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.