WMB120P06TS
WMB120P06TS
60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB120P06TS uses advanced power trench technology that has
D
D
D
D
D
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
s
ss
yet maintain superior switching performance.
Features
D
DD
G
ss
G
PDFN5060-8L
VDS= -60V, ID = -120A
RDS(on) < 7mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 9mΩ @ VGS = -4.5V
High Spee...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB120P06TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 11.04.2023
Размер: 620 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.