WMB240P10HG4
WMB240P10HG4
100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB240P10HG4 uses Wayon's4th generation power trench MOSFET
D
D
D
D
D
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
DD
G
G
ss
PDFN5060-8L
Features
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB240P10HG4
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 03.08.2023
Размер: 638 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.