WMB240P10HG4

WMB240P10HG4 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB240P10HG4 uses Wayon's4th generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G G ss PDFN5060-8L Features  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.