WMB31430DN

WAYON
WMB31430DN 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB31430DN uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G2 S1/D2 S1/D2 S1/D2 S1/D2 S2 D1 Features  G2 S1/D2 S...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ JMSL0401BG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401BG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0302AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0302AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0302AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0301AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ TSM018NB03CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB31430DN 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB31430DN uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G2 S1/D2 S1/D2 S1/D2 S1/D2 S2 D1 Features  G2 S1/D2 S1/D2 G1 Q1:VDS = 30V, ID = 56A S1 D1 D1 D1 D1 S1 PDFN5060D-8L RDS(on) < 4.5mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 6.5mΩ @ VGS = 4.5V  Q2:VDS = 30V, ID =130A RoHS RDS(on) < 1.3mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 1.8mΩ @ VGS = 4.5V  Dual Asymmetric N-Channel  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed D1 G1 G2 S1 Applications  Power Management in Switches  DC/DC Converter D2 compliant S2 Absolute Maximum Ratings（Tc = 25°C, unless otherwise noted） Parameter Symbol Value Q1 Q2 Unit Drain-Source Voltage VDS 30 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 ±20 V 56 130 35.5 82 IDM 224 520 A EAS 80 320 mJ PD 24 37.8 W TJ , TSTG -55 to 150 -55 to 150 °C Continuous Drain Current TC=25℃ TC=100℃ Pulsed Drain Current4 Single Pulse Avalanche Energy3 Total Power Dissipation ID TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A Thermal Characteristics Parameter Symbol Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC Rev.2.0, 2021 Doc:W0803500 Q1 60 5.2 Value Q2 50 3.3 Unit °C/W 1 / 10 G1 PDF
Документация на WMB31430DN 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 17.08.2022

Размер: 603.4 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)