WMB60P02TS
WMB60P02TS
20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB60P02TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
D
D
D
D
D
maintain superior switching performance.
s
ss
Features
D
DD
G
G
ss
PDFN5060-8L
VDS= -20V, ID = -60A
RDS(on) < 7.8mΩ@ VGS = -4.5V
RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V
Green Devi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB60P02TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 11.04.2023
Размер: 617.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.