WMB70P02TS

WMB70P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB70P02TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D D D D D s ss maintain superior switching performance. Features  D DD G ss G PDFN5060-8L VDS= -20V, ID = -70A RDS(on) < 5.2mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 6.8mΩ @ VGS = -2.5V  Low Gate...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.