WMJ3N150D1

WAYON
WMJ3N150D1 WMX3N150D1 WMK3N150D1 1500V 3A 5.7Ω N-ch Power MOSFET Description WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TO-220 G Typ.RDS(on)=5.7Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free，Halogen free D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMX3N150D1 (WAYON)
 
— в линейках 30 шт
 
 — — —
A+ BL3N150-B (CN BELL)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-263, 1500 V, 3 A, 5,8 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ CS3N150AHR (CRMICRO)
 
— в линейках 25 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMJ3N150D1 WMX3N150D1 WMK3N150D1 1500V 3A 5.7Ω N-ch Power MOSFET Description WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TO-220 G Typ.RDS(on)=5.7Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free，Halogen free D S G D S Applications  SMPS  Charger  DC-DC TO-247 TAB Features  TO-3PF G D S D,TAB G S Absolute Maximum Ratings（TC=25℃） Parameter Symbol WMK3N150D1 WMX3N150D1 WMJ3N150D1 Unit Drain-source voltage VDSS 1500 V Gate-source voltage VGS ±30 V Continuous drain current ID 3 A Pulsed drain current IDM 12 A Avalanche energy, single pulse EAS 500 mJ Power dissipation PD Derate above 25°C Operating junction temperature Storage temperature Continuous diode forward current Diode pulse current 125 90 125 W 1 0.72 1 W/℃ Tj -55~150 ℃ Tstg -55~150 ℃ IS 3 A ISpulse 12 A VISO 3500 V Insulation withstand voltage (RMS) from all three leads to external heat sink (t=1s, Tc=25℃) Rev.3.2 2022 www.way-on.com PDF
Документация на WMJ3N150D1 

Дата модификации: 24.12.2023

Размер: 1.72 Мб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    12 февраля 2026
    статья

    Высоковольтные VD- и SJ-MOSFET: современный выбор для источников питания и инверторов

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Высоковольтные MOSFET–транзисторы являются ключевыми элементами современной силовой электроники. Они применяются в импульсных источниках питания, PFC–преобразователях, сварочных инверторах, зарядных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)