WMK071N15HG2
WMK071N15HG2
150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK071N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
GD
Features
⚫
S
TO-220
VDS= 150V, ID = 135A
RDS(on) <...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 500 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CRTT120N15N (CRMICRO) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | WMK161N15T2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | NCEP15T14 (NCE) | TO-220-3 | 10 шт | ± | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK071N15HG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 28.04.2022
Размер: 470 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.