WMK10N100C2

WAYON
WM ML10N100C2 2, WMN10N N100C2, WM MM10N100C C2 WMJ10N100C2, WM MO10N100C C2, WMP10N N100C2, WM MK10N100C C2 1000 0V 1.1Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D C2 is S G TO-22 20...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WML10N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ SK05N120B-TF (SHIKUES)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
A+ BL6N120-A (CN BELL)
 
— в линейках 4 шт
 
 N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ WMO10N100C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WML12N105C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML12N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM ML10N100C2 2, WMN10N N100C2, WM MM10N100C C2 WMJ10N100C2, WM MO10N100C C2, WMP10N N100C2, WM MK10N100C C2 1000 0V 1.1Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D C2 is S G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior D G TO-263 3  Typ. RDS(on) =1.1Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e D S TO-220 T S S VDS =1 1050V @ Tj,max G D G  S TO O-262 power density and outstanding efficiency. Features D D S TO-251 G TO-252 G D TO-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK/W WMJ WML Unit VDSSS 1000 V ID 5.5 A 3.3 A ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) IDM M 18 A Gate-source e voltage VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse3) EAS A 80 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.1 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 1.4 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 86 6 31 W 0.69 9 0.25 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 5.5 A IS,puulse 18 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK/W WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 1.45 5 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 2 80 °C/W Rev.2.0, 202 20 Doc.W089 90013 1 / 11 S PDF
Документация на серию WMx10N100C2 

Microsoft Word - WMx10N100C2 W0890013 V2.0

Дата модификации: 14.04.2022

Размер: 677.9 Кб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)