WMK220N20HG3

WMK220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK220N20HG3 uses Wayon's 3nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. Features  GD S TO-220 VDS = 200V, ID = 78A RDS(on) <...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE0275 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
P- NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
P- NCEP02580 (NCE)
 
TO-220-3
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.