WMK220N20HG3
WMK220N20HG3
200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK220N20HG3 uses Wayon's 3nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
Features
GD
S
TO-220
VDS = 200V, ID = 78A
RDS(on) <...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 |
|---|
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | NCE0275 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
| P- | NCEP02T10 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
| P- | NCEP02580 (NCE) | TO-220-3 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK220N20HG3
WMK220N20HG3_W0803564_V1.0
Дата модификации: 02.10.2023
Размер: 989.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.