WML07N100C2

WAYON
WM ML07N100C2 2, WMN07N N100C2, WM MM07N100C C2 WMJ07N100C2, WM MO07N100C C2, WMP07N N100C2, WM MK07N100C C2 1000V V 2.0Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D C2 is S G TO-2...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SK04N100B-TF (SHIKUES)
 
TO220F
 
 ± — — — —
A+ WMK10N100C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — —
A+ SK05N120B-TF (SHIKUES)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
A+ BL6N120-A (CN BELL)
 
— в линейках 4 шт
 
 N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ WMO10N100C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WMK07N100C2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML12N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML10N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML12N105C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ 4N120L-TA3-T (UTC)
 
—
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM ML07N100C2 2, WMN07N N100C2, WM MM07N100C C2 WMJ07N100C2, WM MO07N100C C2, WMP07N N100C2, WM MK07N100C C2 1000V V 2.0Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D C2 is S G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior D G TO-263 3  Typ. RDS(on) =2.0Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e D S TO-220 T S S VDS =1 1050V @ Tj,max G D G  S TO O-262 power density and outstanding efficiency. Features D D S TO-251 G TO-252 G D TO-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK/W WMJ WML Unit VDSSS 1000 V ID 4 A 2.2 A ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) IDM M 12 A Gate-source e voltage VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse3) EAS A 60 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.1 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 1 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 65 5 27 W 0.52 2 0.22 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 4 A IS,puulse 12 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK/W WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 2 80 °C/W Rev.2.0, 202 20 Doc.W089 90018 1 / 11 S PDF
Документация на серию WMx07N100C2 

Microsoft Word - WMx07N100C2 W0890018 V2.0

Дата модификации: 14.04.2022

Размер: 731.6 Кб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)