WML07N70C2

WML0 07N70C2, WMH07N70C2, WM MM07N70C C2 WMO0 07N70C2, WMP07N70C2, WM MG07N70C C2 700 0V 1.3Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption TM WMOS D C2 is Wa ayon’s 2 nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge S balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is suitable fo or applicattions which h...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMP07N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WML09N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP09N70C2 (WAYON)
 
TO251
 

Файлы 1

показать свернуть
WML0 07N70C2, WMH07N70C2, WM MM07N70C C2 WMO0 07N70C2, WMP07N70C2, WM MG07N70C C2 700 0V 1.3Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption TM WMOS D C2 is Wa ayon’s 2 nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge S balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is suitable fo or applicattions which h require superior G D G TO-22 20F TO O-263 S D G S TO-251 D power density and outstanding efficiency. Features S G G VDS =7 750V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =1.3Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S G TO-251S3 TO-25 52  D D S TO-251S2 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WMH//WMM/WMO/W WMP/WMG Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 700 V ID 4 A 2.5 A IDM M 9 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 15 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.1 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 0.7 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 42 23 W 0.34 0.18 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 4 A IS,puulse 9 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMH//WMM/WMO/W WMP/WMG WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 3 5.4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 201 17 Doc.W087 70002 1 / 10 PDF
Документация на WML07N70C2 

Microsoft Word - WMx07N70C2 W0870002 V2.0

Дата модификации: 28.07.2022

Размер: 567 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.