WMLL020N10HG4
WMLL020N10HG4
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D
D
WMLL020N10HG4 uses Wayon's 4
th
generation power trench
MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the
on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
G
This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
S
S
S
S
S
S
S
S
S
TOLL
Features
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMJ020N10HGS (WAYON) | TO-247-3 | в линейках 30 шт |
|  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | |
| A+ | WMLL017N10HGS (WAYON) | — |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | |||
| A+ | NCEP01T30T (NCE) | TO-247-3 |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCEP020N10LL (NCE) | — | в ленте 10 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMLL020N10HG4
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 24.05.2023
Размер: 644.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.