WMLL020N10HG4
WMLL020N10HG4
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D
D
WMLL020N10HG4 uses Wayon's 4
th
generation power trench
MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the
on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
G
This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
S
S
S
S
S
S
S
S
S
TOLL
Features
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMLL020N10HG4
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 24.05.2023
Размер: 644.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.