WMM020N10HGS

WAYON
WMM020N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM020N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This G device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features  S VDS= 100V, ID = 280A RDS(on) < ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 25 шт ± — — —
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
— в ленте 10 шт
 
 ± — — —
A+ WMJ020N10HGS (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMM020N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM020N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This G device is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features  S VDS= 100V, ID = 280A RDS(on) < 2.2mΩ @ VGS = 10V  High Speed Power Switching  Low Gate Charge  Low RDS(ON)  100% EAS Guaranteed D RoHS compliant G Applications  DC/DC Converter  Power Management Switching  Motor Driver S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C ID TC=100°C 280 177 A IDM 1120 A EAS 1250 mJ PD 390.6 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 57 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 0.32 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2022 Doc:W0803779 1/7 PDF
Документация на WMM020N10HGS 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 26.12.2022

Размер: 694.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)