WMM028N10HG2

WAYON
WMM028N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM028N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This device G is well suited for high efficiency fast switching applications. S TO-263 Features ⚫ VDS =100V, ID = 245A(Silicon L...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMM028N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM028N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This device G is well suited for high efficiency fast switching applications. S TO-263 Features ⚫ VDS =100V, ID = 245A(Silicon Limited) RDS(on) < 2.8mΩ @ VGS = 10V ⚫ High Speed Power Switching ⚫ Low RDS(on) ⚫ Low Gate Charge ⚫ 100% EAS Guaranteed D RoHS compliant G Applications ⚫ Hard Switching and High Speed Circuit ⚫ DC/DC Converters ⚫ Synchronous Rectification in SMPS S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V 245 TC=25℃ Continuous Drain Current1(Silicon Limited) ID TC=100℃ Continuous Drain Current1(Package Limited) Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A 175 TC=25℃ Pulsed Drain Current2 170 IDM 780 A EAS 845 mJ IAS 65 A PD 278 W TJ, TSTG -55 to +150 °C Thermal Characteristics Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 61 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case1 RθJC 0.45 °C/W Parameter Rev.3.0, 2019 Doc:W0803391 1 / 6 PDF
Документация на WMM028N10HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 13.09.2022

Размер: 678.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)