WMM80P04TS
WMM80P04TS
40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMM80P04TS uses advanced power trench technology that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
D
superior switching performance.
G
Features
S
TO-263
VDS = -40V, ID = -80A
RDS(on) < 8.5mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 11mΩ @ VGS = -4.5V
Green Device Available
Low Gate Charg...
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMM80P04TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 10.02.2023
Размер: 710.9 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.