WMO100N07T1

WAYON
WMO100N07T1 70V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO100N07T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. G TO-252 Features  VDS= 70V, ID = 100A S RDS(on) < 7.4mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  Low Gate Charge  Advanced High Cell Density T...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM053NV8HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — — —
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — — —
A+ WMO053NV8HGS (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — —
A+ WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK060N08HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMO100N07T1 70V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO100N07T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. G TO-252 Features  VDS= 70V, ID = 100A S RDS(on) < 7.4mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  Low Gate Charge  Advanced High Cell Density Trench Technology  100% EAS Guaranteed D RoHS compliant Applications G  Synchronous Rectification  DC/DC Converters  Moto Control S Absolute Maximum Ratings（Tc = 25°C, unless otherwise noted） Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 70 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C ID TC=100°C 100 A 63 IDM 400 A EAS 217.8 mJ PD 133 W TJ, TSTG -55 to +150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 42 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case1 RθJC 0.94 °C/W Pulsed Drain Current4 Single Pulse Avalanche Energy3 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.2.0, 2020 Doc:W0803474 1 / 7 PDF
Документация на WMO100N07T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 24.08.2022

Размер: 567.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)