WMO16N65C2

WAYON
WML1 16N65C2, WMK16N65C2, WM MM16N65C C2 WMN16N65C2, WMP16N65C2, WM MO16N65C C2 650V V 0.27Ω Super Junction n Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is TO-22 20F TO O-262 TO-220 T TO-26 63 TO O-251 TO...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMJ26N65C2 (WAYON)
 
TO-247-3 — — —
A+ WMN16N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3 — — —
A+ WMK26N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMK20N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML1 16N65C2, WMK16N65C2, WM MM16N65C C2 WMN16N65C2, WMP16N65C2, WM MO16N65C C2 650V V 0.27Ω Super Junction n Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is TO-22 20F TO O-262 TO-220 T TO-26 63 TO O-251 TO-252 T suitable fo or applicattions which h require superior power density and outstanding efficiency. Features  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.27 7Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e R RoHS co ompliant Applications LED Lightn ning, Charger, Adapterr, PC, LCD TV, Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit VDSSS 650 V ID 13 A 7.8 A IDM M 26 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 145 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.21 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 2 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 86 31 W 0.69 0.25 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 13 A IS,puulse 26 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 1.45 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.1.0, 2016 Doc.W08 865005 1 / 10 PDF
Документация на WML16N65C2 

Microsoft Word - WMx16N65C2--0923

Дата модификации: 28.09.2022

Размер: 672.8 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)