WMO190N03TS
WMO190N03TS
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO190N03TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
D
maintain superior switching performance.
G
TO-252
Features
VDS = 30V, ID = 190A
S
RDS(on) < 2.8mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 4mΩ @ VGS = 4.5V
Green Device Available
Low Gate Charge
...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMM190N03TS (WAYON) | — |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | |||
| A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TSM018NB03CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJP180N03 (JSCJ) | TO2203L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO190N03TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 04.04.2023
Размер: 631.5 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.