WMO90P03TS
WMO90P03TS
30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO90P03TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
D
Features
G
TO-252
VDS= - 30V, ID = - 90A
RDS(on) < 5mΩ @ VGS = -10V
S
RDS(on) < 7mΩ @ VGS = -4.5V
Green Device Available
Low Gate Charge
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO90P03TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 31.07.2023
Размер: 610.5 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.