WMQ090NV6LG4
WMQ090NV6LG4
65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMQ090NV6LG4 uses Wayon's 4
th
generation power trench
D
D
D
D
D
MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the
on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
S
This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
S
S
D
D
D
G
G
S
S
PDFN3030-8L
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
- Норма упаковки: 1 шт. (в ленте)
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | WMQ098N06LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMQ090NV6LG4
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 27.07.2023
Размер: 624.4 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.