WMQ090NV6LG4

WMQ090NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ090NV6LG4 uses Wayon's 4 th generation power trench D D D D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S S D D D G G S S PDFN3030-8L ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMQ098N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTK70N07A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ TSM089N08LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ CJB85SN08C (JSCJ)
 
TO2632L
 
±
A+ CJU80N07 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJU60SN08 (JSCJ)
 
TO2522L 1 шт
 
±
A+ WMQ048NV6LG4 (WAYON)
 
 
A+ WMQ048NV6HG4 (WAYON)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.