WMS05P10TS
WMS05P10TS
100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D
WMS05P10TS uses advanced power trench technology that has been
D
D
D
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
superior switching performance.
S
Features
S
S
G
SOP-8L
VDS = -100V, ID = -4.5A
RDS(on) < 100mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 120mΩ @ VGS = -4.5V
Extremely Low Switchin...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOP8L
- Норма упаковки: 10 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOP8L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMS05P10TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 13.10.2022
Размер: 763.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.