WMS08DP03TS
WMS08DP03TS
30V Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D1
WMS08DP03TS uses advanced power trench technology that has
D1
D2
D2
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
S1
G1
Features
S2
SOP-8L
VDS= -30V, ID = -8A
RDS(on) < 24mΩ @ VGS = -10V
RoHS
RDS(on) < 34mΩ @ VGS = -4.5V
Low Gate Cha...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMS08DP03TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 12.07.2022
Размер: 765 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.