WMS090DNV6LG4
WMS090DNV6LG4
65V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D1
Description
D1
D2
D2
WMS090DNV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench
MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the
S1
G1
on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
S2
G2
SOP-8L
Features
V...
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMS090DNV6LG4
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 27.11.2023
Размер: 979.7 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.