WMS098DN06LG2

WAYON
WMS098DN06LG2 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D1 WMS098DN06LG2 uses Wayon's 2 generation power trench MOSFET nd D2 D2 technology that has been especially tailored to minimize the on-state S1 resistance and yet maintain superior switching performance. This device G1 is well suited for high efficiency fast switching applications. S2 G2 SOP-8L Features ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
A+ TSM120N06LCS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
 — —
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
A+ CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ WMS090NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMS048NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMS048NV6HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS098DN06LG2 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D1 WMS098DN06LG2 uses Wayon's 2 generation power trench MOSFET nd D2 D2 technology that has been especially tailored to minimize the on-state S1 resistance and yet maintain superior switching performance. This device G1 is well suited for high efficiency fast switching applications. S2 G2 SOP-8L Features  VDS= 60V, ID = 13A RDS(on) < 12mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 16.5mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed RoHS compliant Applications G2 G1  Synchronous Rectification  DC/DC Converter  High-Frequency Switching D2 D1 S2 S1 Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current1 TA=25°C TA=100°C Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range ID 13 8.8 A IDM 50 A EAS 64.8 mJ IAS 18 A PD 3.1 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 40.3 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 Rev.2.0, 2020 Doc:W0803378 1 / 6 PDF
Документация на WMS098DN06LG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 19.01.2022

Размер: 769.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)