WMS098DN06LG2

WMS098DN06LG2 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D1 WMS098DN06LG2 uses Wayon's 2 generation power trench MOSFET nd D2 D2 technology that has been especially tailored to minimize the on-state S1 resistance and yet maintain superior switching performance. This device G1 is well suited for high efficiency fast switching applications. S2 G2 SOP-8L Features ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ S-LN7266DT1WG (LRC)
 
 
±
A+ YJS12G06D (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
A+ LNB88075DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8512DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8510DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB85042DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8462DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LN8466DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ LN75042DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7506DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7466DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7266DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN4510T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ LN4506T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ LN4264T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ UTM6016G-SO8-R (UTC)
 
SOP-8
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.