WMT04P10TS
WMT04P10TS
100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMT04P10TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Features
VDS= -100V, ID = -3.6A
RDS(on) < 170mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 200mΩ @ VGS = -4.5V
Fast Switching
Low Gate Charge
100% EAS Guarante...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 10 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMT04P10TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 20.10.2023
Размер: 1003.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.