WMT04P10TS

WMT04P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMT04P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features  VDS= -100V, ID = -3.6A RDS(on) < 170mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 200mΩ @ VGS = -4.5V  Fast Switching  Low Gate Charge  100% EAS Guarante...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.