B5819WS

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 1 А, с падением напряжения 600 мВ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LMBR140ET1G (LRC)
 
— 300 шт
 
 — — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
P= B1040WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= LMBR0540ET1G (LRC)
 
—
 
 — — — — — —
P= B5819WS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — — —
P= DSK14-N (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — — —
P= RB550V-30 (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= LMBR120ET1G (LRC)
 
— 300 шт
 
 — — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon
P= BAT46WS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS B5817WS THRU B5819WS COMPLIANT Schottky Barrier Rectifier Features ● VR 20V/30V/40V ● IFAV 1A Typical Applications ● Extreme fast switches Mechanical Data ● Package: SOD323 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end B5817WS B5818WS B5819WS Marking SJ SK SL ■Maximum Ratings (Ta=25°C Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL Repetitive peak reverse voltage Conditions UNIT VALUE B5817WS B5818WS B5819WS B5817WS B5818WS B5819WS 20 30 40 20 30 40 VRRM V Reverse voltage VR V IR=1mA Peak forward surge current IFSM A tp=8.3ms, half sine 10 Average forward current IFAV A Tc=90°C 1 Tj °C -65 to +125 Tstg °C -65 to +150 RθJA °C /W 500 Maximum junction temperature Storage temperature range Thermal Resistance Junction to Ambient Air ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT Conditions VF V IF=1A, TJ=25°C VF V IF=3A, TJ=25°C IR uA Minimum Breakdown voltage V(BR) V IR=1mA Maximum Diode capacitance CD pF VR=4V, f =1MHZ PARAMETER Maximum Forward voltage Maximum Reverse current B5817WS B5818WS B5819WS VALUE B5817WS B5818WS B5819WS B5817WS B5818WS B5819WS VR=20V,TA=25°C VR=30V,TA=25°C VR=40V,TA=25°C 0.45 0.55 0.60 0.75 0.875 0.90 200 40 40 B5817WS B5818WS B5819WS 20 30 40 120 1/5 S-S1680 Rev.1.2,24-Jan-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на B5817WS 

Microsoft Word - B5817WS THRU B5819WS-SOD-323-海鸥脚

Дата модификации: 24.01.2019

Размер: 557.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)