BAT46WS

Диод выпрямительный на напряжение до 100 В, ток до 750 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 12 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAT46WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
P= LMBR140ET1G (LRC)
 
в ленте 300 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
P= BAT46WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= BAT46WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= LBAS16HT1G (LRC)
 
SOD323 1 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148G-CA2-R (UTC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= L1N4148WT1G (LRC)
 
SOD123 1 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (JSCJ)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (DC)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123 в ленте 3000 шт
P= BAS16WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (SHIKUES)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123
 
P= BAS16WX (JSCJ)
 
SOD323
 
P= BAV19WS (JSCJ)
 

BAV19WS (DIODES)
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= 1N4148 (YJ)
 

1N4148 (DIODES)
DO35 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
P= 1N4148WQ (YJ)
 
SOD123
 
P= 1N4148W (ANBON)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123
 
P= 1N4148W (YJ)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= MMSD914 (JSCJ)
 

MMSD914 (ONS-FAIR)
SOD123 в ленте 30000 шт
 
P= 1N4448W (DC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
P= 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR)
SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт
P= L1SS400T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WT (ANBON)
 

1N4148WT (ONS-FAIR)
SOD-523
P= 1SS400 (SHIKUES)
 
SOD-523
P= 1N4448W (SHIKUES)
 
SOD123 550 шт
 
P= L1N4148FT1G (LRC)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAT46W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM)
P= LBAT46T1G (LRC)
 
SOD123 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAT46W (ANBON)
 
SOD123
 
P= BAT46W (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= BAT46W (YJ)
 
SOD123 3000 шт
 
P= BAR43 (JSCJ)
 

BAR43 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
BAT46WS 150mA Surface Mount Small Signal Schottky Diodes- 100V Package outline Features • Low current rectification and high speed switching • Small surface mount type • Up to 150mA current capability • Low forward voltage drop (0.45V typ. @I F =1mA) • Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction • Lead-free parts meet RoHS requirments • Compliant to Halogen-free 0.016(0.40) 0.010(0.25) 0.055(1.40) 0.047(1.20) SOD-323 0.071(1.80) 0.063(1.60) 0.039(1.00) 0.031(0.80) • Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant • Case : Molded plastic, SOD-323 • Terminals : Solder plated, solderable per 0.003(0.08) 0.008(0.20) Mechanical data 0.108(2.75) 0.096(2.45) MIL-STD-750, Method 2026 • Polarity : Indicated by cathode band • Mounting Position : Any Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings (AT T =25 C unless otherwise noted) o A PARAMETER CONDITIONS Symbol MIN. TYP. MAX. UNIT Repetitive peak reverse voltage V RRM 100 Reverse voltage VR 100 V Repetitive peak forward current Note1 I FRM 350 mA Non-repetitive peak forward current Note2 I FSM 750 mA IF 150 mA Forward current PD Power dissipation Thermal resistance Junction to ambient 200 R θJA Operating junction temperature range Storage temperature range V mW °C/W 500 TJ -55 +125 o C T STG -55 +125 o C Note1 Repetitive peak forward current @ tp < 1.0s, Duty Cycle < 50% Note2 Non-repetitive Peak Forward surge current @ t = 8.3ms Electrical characteristics (AT T =25 C unless otherwise noted) o A PARAMETER CONDITIONS Symbol MIN. TYP. MAX. UNIT 0.250 V V I F = 0.1 mA VF I F = 1 mA VF 0.450 I F = 250 mA VF 1.000 V V R = 75 V IR 2.0 uA Total capacitance V R = 1 V, f = 1MHz CT Reverse recovery time I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc trr 5.0 ns Forward voltage Reverse current http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482812 Page 1 pF 12.0 Document ID Issued Date AS-3160039 2003/03/08 Revised Date 2012/05/16 Revision Page. D 3 PDF
Документация на BAT46WS 

BAT46WS

Дата модификации: 07.03.2022

Размер: 1.33 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.