LMBR140ET1G

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 1 А , производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= B5819WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
P= B5819WS (SHIKUES)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= BAT46WS (ANBON)
 
SOD323
 
P= B5819WS (ANBON)
 
SOD323
 
P= DSK14-N (ANBON)
 
SOD323
 
P= RB550V-30 (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= B5817WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= B0540WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= LMBR0540ET1G (LRC)
 
 
P= LMBR120ET1G (LRC)
 
300 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon
P= LMBR130ET1G (LRC)
 
 
P= B5818WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= B1040WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= RB551V-30 (ANBON)
 
SOD323 1 шт
 
P= B0540WS (SHIKUES)
 
SOD323 1 шт
 
P= B0540WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 40V V(RRM), Silicon
P= BAT760 (SHIKUES)
 
SOD323 1 шт
 
P= B5817WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= B5818WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
LMBR120ET1G thru LMBR1200ET1G Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 200V Forward Current 1.0A FEATURES * Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 * Low power loss,high efficiency * For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,and polarity protection applications * Guardring for over voltage protection * High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds at terminals Mechanical Data Case: SOD-323HE molded plastic over sky die Terminals: Tin Plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any Weight: 0.0053 g Handling precautin:None We declare that the material of product is Haloggen free (green epoxy compound) 1.Electrical Characteristic Maximum & Thermal Characteristics Ratings Parameter Symbol symbol device marking code at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. LMBR LMBR LMBR LMBR 120ET1G 130ET1G 140ET1G 150ET1G LMBR 160ET1G LMBR LMBR LMBR LMBR 180ET1G 1100ET1G 1150ET1G 1200ET1G 12 13 14 15 16 18 110 115 120 Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 35 42 56 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V Maximum average forward rectified current at Tc = 75°C IF(AV) 1.0 A Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) IFSM 22 A Typical thermal resistance (Note 1) RθJA RθJL 220 50 °C/W Operating junction temperature range storage temperature range –55 to +125 TJ –55 to +150 °C –55 to +150 TSTG °C Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol symbol Maximum instantaneous forward voltage at(IF = 0.7 A, TJ = 25°C) (IF = 1.0 A, T J = 25°C) VF Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA = 25°C T J = 125°C IR Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz NOTES: 1. 8.0mm2 (.013mm thick) land areas CJ LMBR LMBR LMBR LMBR 120ET1G 130ET1G 140ET1G 150ET1G 0.48 0.55 0.25 10 LMBR 160ET1G LMBR LMBR LMBR LMBR 180ET1G 1100ET1G 1150ET1G 1200ET1G Unit V 0.68 0.85 0.03 10 0.13 10 160 0.9 0.92 mA PF PDF
Документация на LMBR1100ET1G 

SOD323-HE .xls

Дата модификации: 12.11.2014

Размер: 425.6 Кб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.