BAS516

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 75 В, ток до 250 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAS16X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 120000 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element
P= BAS516 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WT (ANBON)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — —
P= BAS516 (SHIKUES)
 
SOD-523 в ленте 3000 шт — — — — — —
P= LBAS516T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= L1SS400T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WT (SHIKUES)
 

1N4448WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — — — —
P= 1N4448X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= 1N4148WT (SHIKUES)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — — — —
P= 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAS516Q (YJ)
 
SOD-523 Small-Signal Fast Switching Diodes
A- 1N4448WT (YJ)
 

1N4448WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 8000 шт

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes BAS516 FAST SWITCHING DIODE SOD-523 FEATURES z Small Package z Low Reverse Current z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion MARKING:61 61 The marking bar indicates the cathode MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Parameter Value Unit 100 V 75 V RMS Reverse Voltage 53 V Average Rectified Output Current 250 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms 2.0 A PD Power Dissipation 150 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 ℃/W VRM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage VRWM Working Peak Reverse Voltage VR(RMS) IO RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ℃ -55~+150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Reverse voltage V(BR) Reverse current IR Forward voltage Total capacitance Reverse recovery time www.jscj-elec.com VF Ctot trr Test conditions IR=100μA Min Typ Max 75 Unit V VR=25V 30 nA VR=75V 1 μA IF=1mA 0.715 V IF=10mA 0.855 V IF=50mA 1 V IF=150mA 1.25 V VR=0V,f=1MHz 1 pF IF= IR =10mA, Irr=0.1*IR,RL=100Ω 4 ns 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на BAS516 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.41 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes BAS516 FAST SWITCHING DIODE SOD-523 FEATURES z Small Package z Low Reverse Current z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion MARKING:61 61 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. 61 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Parameter Value Unit 100 V 75 V RMS Reverse Voltage 53 V Average Rectified Output Current 250 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms 2.0 A PD Power Dissipation 150 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ VRM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage VRWM Working Peak Reverse Voltage VR(RMS) IO RΘJA ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Reverse voltage V(BR) Reverse current IR Forward voltage Total capacitance Reverse recovery time www.cj-elec.com VF Ctot trr Test conditions IR=100μA Min Typ Max 75 Unit V VR=25V 30 nA VR=75V 1 μA IF=1mA 0.715 V IF=10mA 0.855 V IF=50mA 1 V IF=150mA 1.25 V VR=0V,f=1MHz 1 pF IF= IR =10mA, Irr=0.1*IR,RL=100Ω 4 ns 1 E,Mar,2015 PDF
Документация на BAS516 

Author: Administrator

Дата модификации: 10.03.2015

Размер: 769 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)