BC846BWQ

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC846B (YJ)
 

BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC846BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ BC846BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC846BT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ 2SD1782-R (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ 2SD1782-RQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC546B (KLS)
 
1 шт
A+ BC846 200-450 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC846B (JSCJ)
 

BC846B (DIODES)
 
A+ BC846B (YOUTAI)
 

BC846B (DIODES)
10 шт
 
A+ 2SD1616A 200-400 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ 2SD1898 180-390 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ AD-BC846-B (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC846B RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
A+ BC846B (SHIKUES)
 

BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ LBC846BLT1G (LRC)
 
1 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ LBC846BWT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
A+ 2SD1616AG-G-AB3-R (UTC)
 
SOT-89
A+ 2SD1616AG-G-T92-B (UTC)
 
A+ 2SD1616AG-G-T92-K (UTC)
 
1000 шт
A+ 2SD1616AG-L-AB3-R (UTC)
 
SOT-89

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.