BC857BM

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 

Файлы

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
17 мая 2023
новость

Миниатюрный корпус SUNCOYJ DFN1006-3L для малосигнальных устройств

Корпус DFN 1006–3L производства компании SUNCOYJ (рисунок 1) подходит для малосигнальных транзисторов и импульсных диодов (рисунок 2) с низким током утечки, которые широко применяются, например, в схемах усилителей мощности (рисунок 3),... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.