Миниатюрный корпус SUNCOYJ DFN1006-3L для малосигнальных устройств

17 мая 2023

телекоммуникацииучёт ресурсовпотребительская электроникауниверсальное применениеSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиминиатюрный корпус

Корпус DFN 1006-3L производства компании SUNCOYJ (рисунок 1) подходит для малосигнальных транзисторов и импульсных диодов (рисунок 2) с низким током утечки, которые широко применяются, например, в схемах усилителей мощности (рисунок 3), детекторах и подобных устройствах.

Рис. 1. Корпус DFN 1006-3L производства YANGJIE

Рис. 1. Корпус DFN 1006-3L производства SUNCOYJ

Рис. 2. Схема импульсного диода

Рис. 2. Схема импульсного диода

Рис. 3. Схема усилителя

Рис. 3. Схема усилителя

Одно из главных достоинств данного корпуса – его миниатюрность. Площадь занимаемой поверхности печатной платы составляет всего 0,6 мм2, что обеспечивает существенную экономию пространства (до 50%), в сравнении, например, с корпусом SOT-723.

Стоит отметить, что DFN 1006-3L выигрывает и в отношении теплоотдачи: ее коэффициент сопоставим со значениями у корпусов SOT-23 и SOT-323.

Кроме того, данный корпус отличается высокой динамической эффективностью, отлаженным техпроцессом и высокой надежностью.

Уровень чувствительности к влажности DFN 1006-3L — MSL 3 (168 ч в комнатных условиях).

Параметры работы устройств, выпускаемых в корпусе DFN1006-3L, представлены в таблице 1.

Таблица 1. Параметры устройств в корпусе DFN1006-3L производства компании SUNCOYJ

Наименование Поляр-ность Ток коллек-тора, IC, мА Напряже-ние «коллек-тор-база», BVCBO, В Напряже-ние «коллектор-эмиттер», BVCEO, В Напряже-ние «эмиттер-база», BVEBO, В Коэффициент усиления по постоянному току, HFE Напряжение насыщения «коллектор-эмиттер», VCE (sat) fT, МГц
Мин. Макс. Vce, В Ic, мА В IC, мА IB, мА
BC847AM NPN 100 50 45 6 110 220 5 2 0,5 100 5 100
BC847BM NPN 100 50 45 6 200 450 5 2 0,5 100 5 100
BC847CM NPN 100 50 45 6 420 800 5 2 0,5 100 5 100
BC848AM NPN 100 30 30 6 110 220 5 2 0,5 100 5 100
BC848BM NPN 100 30 30 6 200 450 5 2 0,5 100 5 100
BC848CM NPN 100 30 30 6 420 800 5 2 0,5 100 5 100
BC857AM PNP -100 -50 -45 -5 110 220 -5 -2 -0,65 -100 -5 100
BC857BM PNP -100 -50 -45 -5 200 450 -5 -2 -0,65 -100 -5 100
BC857CM PNP -100 -50 -45 -5 420 800 -5 -2 -0,65 -100 -5 100
BC858AM PNP -100 -30 -30 -5 110 220 -5 -2 -0,65 -100 -5 100
BC858BM PNP -100 -30 -30 -5 200 450 -5 -2 -0,65 -100 -5 100
BC858CM PNP -100 -30 -30 -5 420 800 -5 -2 -0,65 -100 -5 100
MMBT3906L3 PNP -200 -40 -40 -5 100 300 -1 -10 -0,4 -50 -5 250
MMBT3904L3 NPN 200 60 40 6 100 300 1 10 0,3 50 5 300
* Мощность рассеивания коллектором, Pcm – 100 мВт.

 

•••

Наши информационные каналы

О компании SUNCOYJ

Компания SUNCOYJ – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников. Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовлени ...читать далее

Товары
Наименование
BC847BM (YJ)
 
BC847BM3 (YJ)
 
BC847CM (YJ)
 
BC847CM3 (YJ)
 
BC848CM (YJ)
 
BC848CM3 (YJ)
 
BC857AM (YJ)
 
BC857BM (YJ)
 
BC857CM (YJ)
 
BC858CM (YJ)