DB104

Yangjie
DB101 THRU DB107 桥式整流器 Bridge Rectifier ■特征 Features ● Io ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark 1A DB VRRM 50V~1000V ● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● - .255(6.5) .245(6.2) ~ ~ .013(0.33) .0088(0.22) .335(8.51) .320(8.13) 作一般电源单相桥式整流用 General purpose 1 phase Bridge rectifier applications .045...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 1A, 400V V(RRM)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P+ DB107 (YJ)
 

DB107 (DIODES) 		DIP4 в линейках 50 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1A, 1000V V(RRM)
P+ DB107S T/R (YJ)
 
DB1S в ленте 1500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P+ DB107S (YJ)
 
DBS в ленте 1500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P+ DB107 (DC)
 

DB107 (DIODES) 		DB1 в линейках 50 шт —
P+ DB105 (DC)
 
DB1 в линейках 50 шт
 
 —
P+ DB106 (DC)
 
DB1 в линейках 2500 шт
 
 —
F~ DB104 (DC)
 
DIP4 в линейках 50 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
DB101 THRU DB107 桥式整流器 Bridge Rectifier ■特征 Features ● Io ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark 1A DB VRRM 50V~1000V ● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● - .255(6.5) .245(6.2) ~ ~ .013(0.33) .0088(0.22) .335(8.51) .320(8.13) 作一般电源单相桥式整流用 General purpose 1 phase Bridge rectifier applications .045(1.14) .035(0.89) .130(3.30) .120(3.05) .08(2.03) .05(1.27) .023(0.58) .018(0.46) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item .315(8.0) .285(7.24) .350(8.9) .300(7.6) .205(5.2) .195(5.0) ■用途 Applications ● + 符号 单位 Symbol Unit .185(4.69) .150(3.81) .075(1.90) .055(1.39) Dimensions in inches and (millimeters) 条件 Conditions DB1 01 02 03 04 05 06 07 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current IO A 60Hz正弦波，电阻负载，Ta=25℃ 60Hz sine wave, R-load,Ta=25℃ 1 IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ 30 2 It A2S 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 3.7 Tstg ℃ -55 ~+150 Tj ℃ -55 ~+150 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Nonrepetitive)Forward Current 正向浪涌电流的平方对电流 浪涌持续时间的积分值 Current Squared Time 存储温度 Storage Temperature 结温 Junction Temperature 50 100 200 400 600 800 1000 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance Document Number 0006 Rev. 1.0, 22-Sep-11 符号 单位 Symbol Unit VFM RθJ-A 最大值 Max IFM=0.5A, 脉冲测试，单个二极管的额定值 IFM=0.5A, Pulse measurement, Rating of per diode VRM=VRRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值 μA VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode 结和环境之间，安装在玻璃-环氧基板上 Between junction and ambient, On glass-epoxi substrate ℃/W 结和引线之间 Between junction and lead V IRRM RθJ-L 测试条件 Test Condition 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 1.05 10 68 15 www.21yangjie.com PDF
Документация на DB101 

Microsoft Word - DB101-DB107.doc

Дата модификации: 07.11.2011

Размер: 98.5 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)